三星11nmFinFET工艺将于明年上半年实现量产
2020-05-19 12:01:49
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三星电子宣布，在其晶圆代工产品组合中将增加11nm的FinFET工艺。11nm LPP或者11LPP是从上一代14nm工艺进一步发展而来，它能提供15%的性能提升，减少10%面积，但功耗却保持不变。
三星表示，已经完成了“未来三年跨越14nm至11nm，10nm，8nm和7nm的综合处理路线图”。其中11nm工艺计划于2018年上半年准备投产。
三星还证实，采用EUV（极紫外）光刻技术的7LPP的开发工作正在按期进行，目标是在2018年下半年初期生产。
自2014年以来，三星已经使用EUV光刻技术处理了近20万张晶圆，并且根据其经验，最近在过程开发中看到了明显的成果，例如256Mb SRAM实现了80％的产量
