NAND闪存将占据2017年的资本支出的一半

IC Insights表示，2017年预计超过809亿美元资本支出将用于代工厂（28％）和NAND闪存升级（24％）。

2017年预计增长53％，DRAM价格自2016年第三季度开始上涨，DRAM / SRAM业务板块预计今年主要产品类型的资本支出增幅最大。

随着DRAM价格自2016年第三季度开始上涨，DRAM厂商再次加大了对这一领域的支出。

尽管大部分支出正在向技术进步发展，但DRAM生产商SK Hynix最近承认，仅凭技术进步就无法跟上需求，而是需要开始增加晶圆启动能力。

即使今年的DRAM消费激增，2017年闪存的资本支出（190亿美元）仍将远远高于分配给DRAM / SRAM类别（130亿美元）的支出。

总体而言，IC Insights认为，2017年的闪存基本上都将用于3D NAND处理技术，包括在韩国平泽的三星巨型新晶圆厂生产3D NAND。

闪存部分的资本支出预计在2017年将录得33％的激增，但在2016年强劲增长23％之后，记忆市场的历史先例表明，太多的支出通常会导致产能过剩和随后的定价弱点。

随着三星，SK海力士，美光，英特尔，东芝/西部数据/ SanDisk和XMC /长江存储技术都计划在未来几年内大幅提升3D NAND闪存容量（新中国生产商可能进入市场） IC Insights认为，面对3D NAND闪存市场需求的未来风险很高，而且日益增长。