Nanusens成功解决了MEMS惯性传感器拼接问题

这位三年前在巴塞罗那传感器公司的Nanusens表示，其CMOS纳米传感器技术已经解决了MEMS惯性传感器中的静摩擦问题。

当存在加速度并且由用作一个电极的质量检测到运动并且相对于第二固定电极测量电容的变化时，该质量会移动。然而，如果存在诸如冲击或碰撞之类的大的运动，则该质量超出正常的行驶范围，并且由于吸引力而接触包围传感器的表面，并停止工作。这可以通过具有更强的弹簧来抵消，但这降低了传感器的灵敏度。增加灵敏度的解决方案可增加质量，但这导致质量更大的表面积，因此不幸的是，更有吸引力。

Nanusens使用的方法是将传感器设计从具有1-2um线性特征尺寸的微机电系统（MEMS）的数量级降低到特征为0.3um的纳米电子机械系统（NEMS）。这可以显著降低吸引力，因为表面积减小是二维的，即几乎减少了两个数量级。减少检测质量可能导致灵敏度降低，除非通过减小其与固定电极之间的间隙来抵消。减小尺寸还意味着当碰撞时碰撞表面时，存储在检测质量上的能量要少得多，行进间隙也很小。较少能量的冲击也更容易分离。

“因此，通过减少设备的所有尺寸，我们保持灵敏度，并提高可靠性，”Montanyà说，“事实上，我们在可靠性方面有这样的增益，我们可以提高灵敏度，并且仍然具有非常可靠的设备“ 

新型纳米传感器采用标准CMOS工艺和掩模技术制成。使用蒸汽HF（vHF）通过钝化层中的焊盘开口蚀刻金属间介质（IMD），以产生纳米传感器结构。

然后将孔密封并根据需要包装芯片。由于仅使用标准的CMOS工艺，传感器可根据需要直接与有源电路集成，所以传感器可能具有类似于CMOS器件的高产量。