SMC/SMD的发展趋势

表面组装元器件发展至今，已有多种类型封装的SMC/SMD 用于电子产品的生产，如图1-1-4 所示。IC 引脚间距由最初的1.27mm 发展至0.8mm，0.65mm，0.4mm 和0.3mm，SMD器件由SOP（Small Outline Package，小外形封装）发展到BGA（Ball Grid Array，球栅阵列封装）、CSP（Chip Scale Package，芯片级封装）以及FC（Flip Chip，倒装焊裸芯片），其指导思想仍是I/O 越来越多，可靠性越来越好。

                                          多种多样的SMC/SMD封装

新型器件的出现必然带来众多的优越性，如CSP 不仅是一种芯片级的封装尺寸，而且是可确认的优质芯片，具有体积小、质量轻、超薄（仅次于FC）等优点，但也存在一些问题，特别是能否适应大批量生产。一种新型封装结构的器件，尽管有无限的优越性，但如果不能解决工业化生产的问题，就不能称为好的封装。CSP 就是因其制作工艺复杂，即制作中需要用微孔基板，否则难以实现芯片与组件板的互连，从而制约了它的发展。新型的IC 封装的趋势是尺寸必然更小、I/O 更多、电气性能更高、焊点更可靠、散热能力更强，并能实现大批量生产。

1、MCM（Multi Chip Module，多芯片组件）级的模块化芯片

目前，MCM 是以多芯片组件形式出现的，一旦它的功能具有通用性，组件功能就会演化成器件的功能，它不仅具有强大的功能，而且具有互换性，并能实现大批量生产。

2、芯片电阻网络化

目前已经面世的电阻网络由于标准化和设计限制，尚未能广泛推广，若在芯片上集成无源组件，再随芯片一起封装，将会使器件的功能更强大。

3、SIP（System in Package，系统级封装）

SIP 称为系统级封装或封装内系统，是多芯片封装进一步发展的产物。SIP 中可封装不同类型的芯片，芯片之间可进行信号存取和交流，从而实现一个系统所具备的功能。

4、SoC（System on Chip，系统级芯片）

SoC 称为芯片上系统，又称为系统级芯片，它的意义就是在单一芯片上具备一个完整的系统运作所需的IC，这些主要IC 包括处理器，输入/输出装置，将各功能组快速连接起来的逻辑线路、模拟线路，以及该系统运作所需要的内存。这种将系统级的功能模块集成在一块芯片上使集成度更高，器件的引出端数为300～400，是典型的硅圆片级封装。

5、SOl（Silicon On lnsulator，硅绝缘）技术

对硅芯片技术的深入研究，使得SOI 技术得以崭露头角，SOI 技术能与硅集成工艺完全相容，完全继承了硅材料与硅集成电路的成果，并有自己独特的优势。

CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补型金属氧化物半导体）是超大规模集成电路发展的主流，硅绝缘CMOS 是全介质隔离的，无闩锁效应，有源区面积小，寄生电容小，漏电流小，在集成电路的各个领域有广泛应用。SOI 技术的成功为三维集成电路提供了实现的可能性，也为进一步提高集成电路的集成度和速度开辟了一个新的发展方向。因此，SOI 技术的出现必将会给现有的IC 封装形式带来新的挑战。

6、纳米电子器件

纳米技术的研究为微电子技术开创了新的前途和应用领域。美国从1982 年就开始研究量子耦合器件，德国、法国、日本等国家也都在近年加大对纳米技术的投入。美国TI 公司是最早开始研究纳米器件的公司，包括量子耦合器件、模拟谐振隧道器件、量子点谐振隧道二极管、谐振隧道晶体管、纳米传感器、微型执行器以及与这两者有关的MEMS 系统。美国IBM公司与日本日立制作所中央研究所都已研制成功单电子晶体管、量子波器件。

表面组装元器件的发展随着芯片内容的增多，I/O 端子数也增多，必将带来芯片封装形式的改进，在新材料、新技术不断涌现的情况下，必将会出现性能更优、组装密度更高的新的封装形式。